Conception prog. 27C256
ArchiArchitecture matérielle et modules principaux
ystème s’articule autour de plusieurs étages logiques et analogiques interconnectés :
1. L’A1. L’Alimentation
areil intègre une alimentation variable capable de délivrer des tensions allant de +5,5 volts (pour la logique standard) jusqu’à +25 volts (tension V_{PP} indispensable à la programmation des anciennes EPROM).
2. Le Système de 2. Le Système de Comptage et d’Adressage
comptage gère le défilement séquentiel des adresses de la mémoire et comprend :
-
Un oscillateur/monostable à
Un oscillateur/monostable à base de circuit intégré CMOS HEF4011 (associé à un condensateur, trois résistances et un potentiomètre ajustable).
ire à 12 étages HEF4040. -
Un bouton poussoir de déclenchement pour
Un bouton poussoir de déclenchement pour incrémenter manuellement le monostable et avancer d’une adresse.
RAZ) pour réinitialiser instantanément le comptage à l’adresse zéro. -
Un étage intermédiaire de 12 transistors assurant l
Un étage intermédiaire de 12 transistors assurant l’amplification du signal entre le HEF4040, les EPROM et l’affichage des adresses.
ng>À la mise sous tension, le compteur binaire pointe par
À la mise sous tension, le compteur binaire pointe par défaut à l’adresse 0 et les LED de données sont éteintes. Chaque action sur le bouton poussoir incrémente le compteur, dont l’état est visualisé en temps réel grâce à un banc de 12 LED pilotées par 12 transistors et résistances (drivers de commande).
pub-4711678099519629" crossorigin="anonymous" data-rm-block-id="block-32">
4. L’Étage EPROM A (Mode Copie)
4. L’Étage EPROM A (Mode Copie)
trong>-
Elle est positionnée en permanence sur son support dédié.Elle est positionnée en permanence sur son support dédié.
ues soit vers l’étage de visualisation, soit directement vers l’EPROM B pour effectuer un clonage direct de la mémoire. 
5. L’Étage EPROM B (Lecture, Écriture et Programmation)
<5. L’Étage EPROM B (Lecture, Écriture et Programmation)
de type 2764, 27128, 27256 ou 27512 :-
Configuration : Un switch permet de basculer la mémoire entre le mode Lecture et le mode É
Configuration : Un switch permet de basculer la mémoire entre le mode Lecture et le mode Écriture. Un autre switch situé à gauche configure l’état de la broche 1 de l’EPROM (V_{PP}, V_{CC} ou V_{SS}).
ionne le monostable pour générer l’impulsion de programmation d’environ 50 ms. -
Signalisation sonore : Un buzzer émet un son témoin à un moment précis du cycle de programmation.Signalisation sonore : Un buzzer émet un son témoin à un moment précis du cycle de programmation.
ript async="" src="https://pagead2.googlesyndication.com/pagead/js/adsbygoogle.js?client=ca-pub-4711678099519629" crossorigin="anonymous" data-rm-block-id="block-49">
Visualisation : Un ensemble de 8 LED associées à des transistors et des résistances (R_B et R_C) permet de v
Visualisation : Un ensemble de 8 LED associées à des transistors et des résistances (R_B et R_C) permet de visualiser les données lues sur la mémoire ou l’octet en cours d’écriture (LED allumée = 1, LED éteinte = 0).
l’EPROM lors de l’écriture ou d’une correction ciblée. -
Conclusion
Ce programmateur manuel d’EPROM représente uConclusion
, gestion fine des tensions de programmation et interface utilisateur entièrement matérielle. Une pièce d’archéologie industrielle et un bel hommage au « fait maison » pour la communauté d’anwarelectronic.com !
